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PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

產(chǎn)品時(shí)間:2024-01-03

簡(jiǎn)要描述:

PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)(HPC)探測(cè)器經(jīng)過重新設(shè)計(jì),該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù),并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù):?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì)。

PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

1、PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?產(chǎn)品特點(diǎn):

       PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)(HPC)探測(cè)器經(jīng)過重新設(shè)計(jì),旨在實(shí)現(xiàn)好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù),并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù):?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì): DECTRIS 的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)配合 PILATUS3 *的技術(shù)優(yōu)勢(shì),充分提升了計(jì)數(shù)率和計(jì)數(shù)率的準(zhǔn)確校正。

       PILATUS3 R 探測(cè)器的高計(jì)數(shù)率,使得其在處理高強(qiáng)度信號(hào)時(shí)顯示了*的優(yōu)勢(shì)。 DECTRIS 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)可被用來準(zhǔn)確測(cè)量具有高強(qiáng)度衍射的樣品,如小分子或無機(jī)復(fù)合物樣品的高強(qiáng)度衍射峰。

       單光子計(jì)數(shù)可消除所有的探測(cè)器噪音,從而得到優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)相對(duì)于同步輻射,實(shí)驗(yàn)室中的X射線源要微弱得多,只能得到較為微弱的衍射信號(hào),因此通常需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間。由于沒有暗電流和讀出噪音, PILATUS3 R 系列探測(cè)器比其它實(shí)驗(yàn)室用探測(cè)器具有好的性能。

       HPC 技術(shù)使得該系列探測(cè)器可直接探測(cè)X射線,比閃爍器探測(cè)器所產(chǎn)生的信號(hào)更為清晰。讀出時(shí)間短并能連續(xù)采集信號(hào)的 PILATUS3 R 系列探測(cè)器可高效輸出優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù);較低的功耗和冷卻要求可確保您輕松使用并減少維護(hù)工作量。

       PILATUS3 R 系列探測(cè)器專為您的實(shí)驗(yàn)室需求而量身定制,可提供的同步輻射成熟技術(shù)。具有*性能的PILATUS3 R 系列探測(cè)器。

 

2、PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?核心優(yōu)勢(shì):

     – 可在單光子計(jì)數(shù)模式下直接探測(cè)X射線;

     – DECTRIS即時(shí)觸發(fā)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)全程連續(xù)計(jì)數(shù);

     – 整體計(jì)數(shù)率;

     – 準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率校正,可在高計(jì)數(shù)率條件下獲得數(shù)據(jù)質(zhì)量;

     – 無讀出噪音和暗電流;

     – 出色的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù);

     – 高動(dòng)態(tài)范圍;

     – 讀出時(shí)間短,幀頻高。

 

 3、應(yīng)用領(lǐng)域:PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?

     – 生物大分子晶體學(xué)(MX);

     – 單晶衍射(SCD);

     – X射線衍射(XRD);

     – 小角和廣角X射線散射(SAXS/WAXS);

     – 表面衍射;

     – 漫散射;

     – 時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn);

     – 成像;

     – 無損檢測(cè)。

 

4、技術(shù)參數(shù):

PILATUS3 R

100K-A

200K-A

300K

300K-W

1M

探測(cè)器模塊數(shù)量

1 x 1

1 x 2

1 x 3

3 x 1

2 x 5

有效面積:寬*高[mm?]

83.8 x 33.5

83.8 x 70.0

83.8 x 106.5

253.7 x 33.5

168.7 x 179.4

像素大小 [μm?]

172 x 172

總像素?cái)?shù)量

487x195=94,965

487x407=198,209

487x619=301,453

1475x195=287,625

981x1043=1,023.183

間隙寬度, 水平/垂直(像素)

0

- / 17

- / 17

7 / -

7 / 17

非靈敏區(qū) [ % ]

0

4.3

5.5

0.9

7.2

缺陷像素

< 0.03%

幀頻 [Hz]

20

20

20

20

5

讀出時(shí)間 [ms]

7

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixel(FWHM)

計(jì)數(shù)器深度

20 bits(1,048,576   counts)

閾值能量 [keV]

3.5 - 18

3.5 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

2.7 - 18

功耗 [W]

30

30

36

36

165

尺寸(WHD)[mm?]

156x115x284

156x155x284

158x193x262

280x62x296

265x286x455

重量 [kg]

4.5

5.4

7.5

7.0

25

模塊冷卻

風(fēng)冷

風(fēng)冷

水冷

水冷

水冷

電子冷卻

風(fēng)冷

風(fēng)冷

水冷

水冷

風(fēng)冷

外接觸發(fā)電壓

5V TTL

能量校準(zhǔn)

鉻,錳,鐵,銅,鎵,鉬,銀的Ka線

標(biāo)準(zhǔn)配置

450微米的硅傳感器

探測(cè)器可選配置

1000微米的硅傳感器

-

-

可用于真空

可用于真空

-

 

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