1、產(chǎn)品特點：
憑借高于95%的量子效率，及其高達155×162毫米的極大有效面積，PILATUS4 R CdTe探測器可對基于從銅（Cu）到銦（In）的任何X射線源的快速數(shù)據(jù)收集。特別是對于鉬（Mo）、銀（Ag）和銦（In）輻射，PILATUS4 R CdTe的性能優(yōu)于任何配有硅傳感器的HPC探測器—甚至包括目前擁有最厚的硅傳感器的PILATUS3。
PILATUS4憑借出色的計數(shù)率和五探測器背景噪音的特點，實現(xiàn)了跨越十個數(shù)量級的廣泛動態(tài)范圍，高達200Hz的內(nèi)部幀速，進一步優(yōu)化了計數(shù)率校準，從而確保高強度測量的高度準確性。此外，PILATUS4還具備四個能量區(qū)分閾值，為勞厄衍射和光譜成像等應(yīng)用帶來了新的可能。
2、核心優(yōu)勢
- 巨大且有效：有效成像面積高達155×162mm，量子效率超過95％
- 最大限度的高動態(tài)范圍：通過零探測器背景噪音、計數(shù)率以及同步讀/寫技術(shù)，實現(xiàn)了最大限度的高動態(tài)范圍。
- 多功能性：覆蓋了從銅（Cu）到銦（In）高量子效率；四個能量區(qū)分閾值適用于多色光應(yīng)用。
3、應(yīng)用領(lǐng)域
- 單晶衍射
- 小角X射線散射
- 光譜成像
- 勞厄衍射
4、技術(shù)參數(shù)：
PILATUS4 R CdTe | 1M | 260K | 260K-W |
有效面積：寬×高 [mm2] | 155.0 x 162.0 | 77.0× 79.5 | 155.0 x 38.3 |
像素陣列 | 1033 x 1080 | 513 × 530 | 1033× 255 |
像素大小 [μm2] | 150 x 150 | ||
能量范圍 [keV] | 8 - 25 (8 - 100)【1】 | ||
能量閾值數(shù)量 | 4 | ||
| 閾值范圍 [keV] | 4-30（4-80）【1】 | ||
計數(shù)率 [ph/s/pixel] | 5.0 x 106 | ||
最大幀頻 [Hz] | 10 | 100 | 100 |
讀出時間【2】 | 連續(xù)讀出 | ||
傳感器材料 | CdTe | ||
傳感器厚度[μm] | 1000 | ||
點擴散函數(shù) | 1 pixel（FWHM） | ||
尺寸（WHD）[mm3] | 235 x 237 x 372 | 114 x 133 x 242 | 192 x 92 x 277 |
重量 [kg] | 15 | 4.7 | 5.8 |
【1】可選擇校準來擴展能量范圍
【2】兩次曝光之間的有效死時間＜100ns（最大損失1count/pixel）
